Questão número 348033

Analise as afirmações relativas aos diodos semicondutores:

I. A barreira de potencial que se forma no diodo é causada pelo bombardeio de átomos de germânio no cristal de silício durante o processo de dopagem.

II. A barreira de potencial em diodos de silício é da ordem de 0,6 V.

III. A intensidade da corrente direta no diodo é diretamente proporcional à tensão reversa nele aplicada.

É correto o que consta APENAS em

• A.

  I.

• B.

  II.

• C.

  I e II.

• D.

  I e III.

• E.

  II e III.