Questão número 515619
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo n) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)
- A. 0,885 fF/μm.
- B. 8,85 fF/μm.
- C. 17,7 fF/μm.
- D. 8,85 pF/μm.
- E. 1,77 pF/μm.
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