Questão número 519870
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?
- A. São 1,1 eV e 9,0 eV.
- B. São 1,1 eV e 2,0 eV.
- C. São 6,0 eV e 9,0 eV.
- D. São 9,0 eV e 1,1 eV.
- E. São 9,0 eV e 2,0 eV.
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