Questão número 519875
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?
- A. Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
- B. Somente a Mobilidade de portadores no canal.
- C. Somente a espessura do óxido de porta.
- D. Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
- E. Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.
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