Questão número 519883

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

• A. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• B. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
• C. Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
• D. Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• E. Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.