Questão número 519895
Engenharia Elétrica - Dispositivos Eletrônicos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10-16 cm2/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.
- A. Uma hora e quarenta minutos.
- B. Cinco horas.
- C. Dez horas.
- D. Dez minutos.
- E. Uma hora.
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