Questão número 519899

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

  • A. Apenas I está correta.
  • B. Apenas II está correta.
  • C. Apenas III está correta.
  • D. Apenas I e II estão corretas.
  • E. I, II e III estão corretas.
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