Questão número 519907

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

  • A. deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.
  • B. deposição química de vapor melhorada por plasma.
  • C. spin-on.
  • D. deposição física a altas temperaturas.
  • E. deposição física por Sputtering.
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