Questão número 519996
Engenharia Elétrica - Microeletrônica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?
- A. Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.
- B. Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.
- C. Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.
- D. Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.
- E. Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.
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