Questão número 520049
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de
- A. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
- B. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
- C. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
- D. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
- E. junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.
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