Questão número 520051

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes

2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs

3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado

Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Apenas duas delas.
• E. Todas as três.