Questão número 520055
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de 11B+, na primeira, 31P+, na segunda e 75As+, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.
- A. As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.
- B. A implantação de íons de 31P+
- C. A implantação de íons de 11B+
- D. A implantação de íons de 75As+
- E. As implantações de 75As+ e 11B+ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de 31P+ destruirá mais.
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