Questão número 520060

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

• A. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
• B. Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
• C. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
• D. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.
• E. Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.