Questão número 520065
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?
- A. Em torno de 1 MeV.
- B. Em torno de 100 keV.
- C. Em torno de 10 MeV.
- D. Em torno de 50 keV.
- E. Em torno de 1 keV.
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