Questão número 520066
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?
- A. Em torno de 1010 cm-2
- B. Em torno de 1011 cm-2
- C. Em torno de 1012 cm-2
- D. Em torno de ou maior que 1014 cm-2
- E. Entre 1012 cm-2 e 1013 cm-2
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