Questão número 520098

Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 10¹⁹ cm-3, na base é igual a 10¹⁸ cm^-3 e no coletor é igual a 10¹⁵ cm^-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos n_i = 10¹⁰ cm^-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm²/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm²/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10^-19 C)

• A. 1,6 x 10^-18 A e 200.
• B. 16 x 10^-18 A e 100.
• C. 1,6 x 10^-15 A e 300.
• D. 36 x 10^-15 A e 200.
• E. 3,2 x 10^-20 A e 400.