Questão número 520133
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue. I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas. II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto. III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.
- A. Apenas I é verdadeira.
- B. Apenas II é verdadeira.
- C. Apenas I e II verdadeiras.
- D. Apenas I e III verdadeira.
- E. I, II e III são verdadeiras.
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