Questão número 522848

Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

• A.

  Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.

• B.

  Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.

• C.

  Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.

• D.

  Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.

• E.

  Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.