Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2004
Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.
O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.
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