Questão número 523332
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2004
Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.
O transistor MOS canal N aproxima-se de uma chave ideal nas aplicações digitais, mas degrada ligeiramente o nível lógico 0, ao passá-lo de fonte para dreno.
- C. Certo
- E. Errado
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