O parâmetro híbrido h11 de um transistor de junção numa montagem Emissor-Comum é medido:
com um multi-teste digital, funcionando como medidor de resistências, entre a base e o emissor do transistor;
aplicando-se um gerador de pequenos sinais na base do transistor, medindo-se o nível com um osciloscópio e medindo-se a corrente de coletor. A relação entre a corrente de coletor e o nível da tensão na base será a resposta;
(C) polarizando-se o transistor, aplicando-se um gerador de pequenos sinais na base do transistor, medindo-se a tensão do gerador e a corrente alternada de base através da queda de tensão sobre um resistor colocado em série com a base. O coletor deverá estar em curto para correntes alternadas. A relação entre o nível do gerador quando ligado na base, e a corrente de base, será h11;
(D) polarizando-se o transistor, aplicando-se um gerador de pequenos sinais na base do transistor, medindo-se com um osciloscópio os níveis na base e no coletor. A relação entre o nível observado no coletor e o observado na base será h11;
(E) polarizando-se o transistor, aplicando-se um gerador de pequenos sinais na base do transistor, medindo-se com um osciloscópio os níveis na base e no emissor. A relação entre o nível observado no emissor e o observado na base será h11.
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