Em relação ao CI, é INCORRETO afirmar:
Na fabricação de CIs, difusão refere-se à migração forçada e controlada de impurezas para o substrato.
A tecnologia de fabricação de CI conhecida como Metal-Oxido-Semicondutor (MOS) utiliza o silício como substrato.
Milhares de dispositivos são produzidos numa única pastilha de material semicondutor.
Um CI classificado como Small-Scale Integration possui de 3.000 a 100.000 componentes integrados.
Capacitores, diodos e resistores são componentes que entram no processo de fabricação dos CIs.
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