Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.
Em um transistor bipolar do tipo NPN, a base é composta, geralmente, por material do tipo P. A concentração de lacunas na base é muito maior que a concentração de elétrons livres no emissor, maximizando a recombinação na base. Ainda para maximizar a recombinação na base, busca-se garantir que a base tenha a maior largura possível. Esse aumento da recombinação resulta no aumento do β (beta) do transistor, que é uma característica geralmente desejada em transistores bipolares.
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