Engenharia Eletrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Uma importante etapa da fabricação de circuitos integrados é a deposição de filmes muito finos e estreitos de um metal formando uma linha que conecta os diversos dispositivos. Após a deposição desses materiais, outros tratamentos térmicos ainda devem ser realizados com temperaturas de até 500º C. Caso ocorra difusão do metal para o interior do silicone, o circuito integrado pode perder a sua funcionalidade elétrica. Observe os coeficientes de difusão dos metais abaixo no silício (Si):
I coeficiente de difusão da prata (Ag) = 4,2 x 10-17m2/s.
II coeficiente de difusão do alumínio (Al) = 2,5 x 19-21 m2/s.
III coeficiente de difusão do ouro (Au) =2,5 x 19-15 m2/s.
IV coeficiente de difusão do cobre (Cu) = 4 x 10-13m2/s.
Com base nesses dados e no enunciado da questão, o metal mais indicado para a formação das linhas de interconexão é
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