Questão número 530731

A oxidação térmica do silício tem como finalidade

I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).

II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO₂).

III – a passivação da superfície do wafer.

Assinale a alternativa correta.

• A. I, II e III estão corretas.
• B. Apenas II e III estão corretas.
• C. Apenas I e III estão corretas.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II está correta.