Questão número 543625

O processo químico de forma seca, através da remoção por plasma, pode ser realizado por meio da utilização de plasma de oxigênio, onde ocorre a oxidação do resiste, removendo-o da superfície. As remoções de resistes por meio de soluções líquidas são também usadas e preferidas nos processos de front end of the line (processo de fabricação frontal e de linha do Circuito Integrado), onde a superfície e o estreito canal de condução (fonte e dreno) do circuito são

• A. sensíveis e vulneráveis aos danos causados pelo processo de remoção por plasma.
• B. sensíveis à oxidação.
• C. destruídas pela dissolução.
• D. sensíveis e vulneráveis aos danos causados pelo processo de ultrassom.
• E. resistentes à oxidação em vácuo.