Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

• A.

  testador de continuidade.

• B.

  identificador de neutro.

• C.

  testador de isolação.

• D.

  testador de tensão.

• E.

  analisador de terra.

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

O LED tem sido usado na indústria de equipamentos eletrônicos como alternativa às lâmpadas incandescentes, em virtude das suas características de utilização em baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento liga-desliga.

• C. Certo
• E. Errado

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.

• C. Certo
• E. Errado

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.

• C. Certo
• E. Errado

No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.

O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.

• C. Certo
• E. Errado

Os disparos parasitários ou latch-ups constituem um tipo particular de curto-circuito criado inadvertidamente em circuitos integrados pelo estabelecimento de um caminho de baixa impedância entre os trilhos de alimentação do circuito do MOSFET (transistor de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor). A estrutura parasita estabelecida pelo latch-up é equivalente ao seguinte tiristor:

• A. DIAC (diodo para corrente alternada).
• B. TRIAC (triodo para corrente alternada).
• C. SCR (retificador controlado de silício).
• D. UJT (transistor de unijunção).
• E. Diodo Schottky.

Células especiais que são usadas com a técnica de power gating são:

• A. Level shifter, retention e always-on buffer.
• B. Power switch, level shifter e retention.
• C. Always-on buffer, power switch e high-vt.
• D. High-vt, isolation e retention.
• E. Retention, isolation e power switch.

O dispositivo EDFA (Erbium Doped Fiber Amplifier), muito utilizado em redes DWDM, consegue amplificar sinais óticos

• A.

  de comprimento de onda na faixa de 950 nm.

• B.

  sem requerer conversão eletro-ótica.

• C.

  com desempenho em termos de figura de ruído da ordem de 0,5 dB.

• D.

  que atingem ganhos de até 20 dB.

• E.

  que introduzem (“bombeiam”) correntes elétricas senoidais com frequências correspondentes às frequências de ressonância do elemento érbio.

• A. 10
• B. 20
• C. 25
• D. 35
• E. 40

Com relação a circuitos e dispositivos eletrônicos, julgue os itens seguintes.

O varactor, um dispositivo ativo de dois terminais utilizado na faixa de microondas, é um tipo de diodo semicondutor que tem propriedades de um resistor cujo valor da resistência varia com a voltagem aplicada.

• C. Certo
• E. Errado