Questões de Engenharia Elétrica

Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 10¹⁹ cm-3, na base é igual a 10¹⁸ cm^-3 e no coletor é igual a 10¹⁵ cm^-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos n_i = 10¹⁰ cm^-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm²/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm²/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10^-19 C)

• A. 1,6 x 10^-18 A e 200.
• B. 16 x 10^-18 A e 100.
• C. 1,6 x 10^-15 A e 300.
• D. 36 x 10^-15 A e 200.
• E. 3,2 x 10^-20 A e 400.

• C. Certo
• E. Errado

Considere que as entradas de filtros digitais sejam representadas por x[n] e que as saídas sejam representadas por y[n]. Com base nessas informações e nos conceitos relacionados a filtros digitais, julgue os itens subsequentes.

Para evitar a ocorrência de aliasing em processo de amostragem de um sinal que contenha componentes espectrais com frequência máxima de 200 Hz, a frequência de amostragem deve ser, de, no mínimo, 100 Hz.

• C. Certo
• E. Errado

• A. 0
• B.
• C.
• D.
• E.

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:

• A. São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
• B. São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.
• C. São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.
• D. São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.
• E. São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.

• C. Certo
• E. Errado

Considere que as entradas de filtros digitais sejam representadas por x[n] e que as saídas sejam representadas por y[n]. Com base nessas informações e nos conceitos relacionados a filtros digitais, julgue os itens subsequentes.

Muitos sinais com transformada de Fourier não possuem transformada de Laplace. Entretanto, todos os sinais que possuem transformada de Laplace possuem também transformada de Fourier. Isso ocorre porque a transformada de Fourier tem melhores propriedades de convergência do que a transformada de Laplace.

• C. Certo
• E. Errado

Uma carga trifásica é alimentada por três condutores fase e um condutor neutro em uma instalação elétrica. Todos os condutores possuem a mesma seção nominal. Considere que a taxa de terceira harmônica e seus múltiplos da corrente da carga seja igual a 25%. Nessa situação, de acordo com a NBR 5410:2004, o condutor neutro está dimensionado

• A. corretamente, podendo ter a mesma seção nominal dos condutores fase.
• B. incorretamente, devendo ter seção nominal maior que a dos condutores fase.
• C. incorretamente, devendo ter seção nominal menor que a dos condutores fase.
• D. incorretamente, devendo esse condutor ser retirado do circuito para eliminar as harmônicas.
• E. incorretamente, devendo esse condutor ser transformado em condutor PEN para eliminar as harmônicas.

Qual principal vantagem dos plasmas RF em comparação com plasmas DC?

• A. Facilidade de usar as fontes RF.
• B. Material a ser corroído pode ser isolante.
• C. Maior aquecimento de amostras.
• D. Controle maior do processo.
• E. Menor pressão de gás.

Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)

• A. 25 ns e 75 ns.
• B. 2,5 ns e 7,5 ns.
• C. 5 ns e 90 ns.
• D. 50 ns e 150 ns.
• E. 45 ns e 45 ns.