Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

Um tipo de dispositivo elétrico que tem massa normalmente distribuída com média 60 g e desvio padrão 12 g é acondicionado em embalagens de 3 dúzias. A probabilidade de a massa de 3 dúzias ser superior a 2.250 g, aproximadamente, é de

• A. 10,6%
• B. 26,6%
• C. 37,3%
• D. 41,7%
• E. 49,3%

Em um instrumento indicador de ponteiro, o erro de paralaxe é caracterizado pelo

• A. valor da classe de precisão do instrumento.
• B. valor da classe de exatidão do instrumento.
• C. alor da classe de exatidão do instrumento.
• D. valor da frequência industrial de trabalho, o qual se inseriu o instrumento.
• E. posicionamento inadequado do indivíduo que realiza leitura do instrumento.

Um contator possui os oito terminais dos contatos auxiliares identificados pelo seguinte código numérico: 13, 14, 21, 22, 31, 32, 43 e 44. Logo, o dispositivo tem

• A.

  1 contato NA e 3 NF.

• B.

  1 contato NF e 3 NA.

• C.

  2 contatos NA e 2 NF.

• D.

  4 contatos NA.

• E.

  4 contatos NF.

• A.
• B. Resistência de saída Ro = 0.
• C. Resistência de entrada Ri = 0.
• D.
• E. Balanço perfeito: Vo = 0 quando V₁ = V₂.

Os dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o

• A. Capacitor MOS.
• B. Resistor.
• C. Diodo.
• D. MOSFET tipo P.
• E. BJT.

Um dos dispositivos semicondutores mais básicos são os diodos. Com relação ao comportamento de um diodo, analise as seguintes assertivas:

I) Em um diodo em equilíbrio, aparece uma região chamada região de depleção, que é formada pelo mecanismo de difusão de portadores majoritários entre semicondutores tipo P e tipo N, na área de interface entre estes. Tal região é limitada em torno da interface entre os materiais.

II) A região de depleção tem seu tamanho limitado, pois os portadores, ao se deslocarem através da interface, fazem com que os materiais semicondutores deixem de ser neutros. Isso causa o aparecimento de um campo elétrico e a formação de uma corrente chamada corrente de deriva, que contrabalanceia a corrente de difusão.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

• A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
• C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Analisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações.

I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N.

III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

Estão corretas as observações:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. I e III
• E. I, II e III

• A. Diodo de homojunção.
• B. MOSFET.
• C. Diodo de heterojunção.
• D. Capacitor MOS.
• E. Resistor.

Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância

• A. é independente da tensão e da frequência do sinal aplicado ao componente.
• B. é independente da tensão, porém depende da frequência do sinal aplicado ao componente.
• C. é independente da frequência, porém depende da tensão do sinal aplicado ao componente.
• D. depende tanto da frequência quanto da tensão do sinal aplicado.
• E. é dependente do tempo em função do acúmulo de cargas nos materiais que o constituem..

Ao analisar um capacitor MOS, pode-se traçar uma curva do valor de capacitância em função da tensão aplicada aos terminais. Sobre esta curva, conhecida como curva CV, pode-se afirmar que

• A. é praticamente uma reta horizontal, uma vez que a variação da capacitância em função da tensão é muito pequena.
• B. possui um valor mínimo, porém tende a infinito conforme a tensão varia.
• C. pode ser dividida em três regiões: região de acumulação, região de depleção e região de inversão.
• D. possui um valor máximo, porém tende a zero conforme a tensão varia.
• E. não é uma curva contínua, já que para alguns valores de tensão a capacitância muda bruscamente de valor, devido aos mecanismos de difusão de portadores.