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Engenharia Elétrica - Microeletrônica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2004
A difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.
A padronização dos procedimentos de controle e aquisição de dados é fator relevante para a gestão dos processos e para a otimização dos custos de fabricação.
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A difusão das ferramentas de processamento da informação na sociedade moderna, juntamente com a crescente complexidade dos dispositivos, circuitos e dos processos de fabricação das tecnologias da informação, tem levado à crescente automação dos ambientes industriais nessa área, especialmente no que se refere à aquisição de dados. Acerca desse assunto, julgue os itens subseqüentes.
Um dos fatores limitantes à implantação de sistemas de aquisição de dados em ambientes de fabricação nas tecnologias microeletrônicas é a necessidade de desenvolvimento de linguagens e procedimentos de programação específicos, o que implica sensível elevação de custos.
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Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.
A capacitância do dispositivo, quando se aplica ao metal potencial elétrico menor que o aplicado ao substrato, é aproximadamente constante (independente do valor de tensão), e determinada apenas pela espessura e permissividade do material isolante, como no capacitor convencional de placas paralelas.
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Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.
Uma tensão negativa aplicada ao metal em relação à aplicada ao substrato coloca o material em uma condição conhecida como inversão.
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Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.
A capacitância da estrutura diminui quando são aplicados pequenos valores de tensão positiva. Isso ocorre porque uma camada de depleção no material semicondutor funciona como uma capacitância adicional em série.
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Materiais semicondutores são a base da tecnologia microeletrônica há décadas e, ao que tudo indica, essa situação não se alterará no futuro próximo. Diversas técnicas de caracterização são empregadas para o necessário controle detalhado das propriedades elétricas desses materiais. Uma estrutura de teste freqüentemente empregada é o capacitor MOS (metal-óxido-semicondutor), cujas características elétricas permitem inferir uma série de dados a respeito do substrato semicondutor e da interface óxidosemicondutor. A respeito de características de um capacitor MOS em substrato tipo P que podem ser empregadas na caracterização elétrica de semicondutores, julgue os itens que se seguem.
Quando esse capacitor é polarizado na região de inversão forte, a capacitância varia com a freqüência do sinal de teste. Essa variação fornece informações sobre o tempo de vida de portadores minoritários no substrato.
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