Questões de Engenharia Eletrônica
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Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
A curva característica de um diodo túnel é:
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de
- A.
avalanche.
- B.
chaveamento.
- C.
compensação.
- D.
distorção.
- E.
histerese.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
- A.
(a) diodo bilateral, (b) SCR e (c) varicap.
- B.
(a) diodo Schottky, (b) DIAC e (c) diodo túnel.
- C.
(a) SCR, (b) TRIAC e (c) DIAC.
- D.
(a) TRIAC, (b) diodo Schottky e (c) diodo Zener.
- E.
(a) diodo bilateral, (b) varicap e (c) SCR.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
- A.
+3 V e 6 V.
- B.
+3,7 V e 6,7 V.
- C.
+6,7 V e 3,7 V.
- D.
+8,3 V e 5,3 V.
- E.
+12 V e 12 V.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:
- A.
0 ¡Ü RB < 100.
- B.
100 ¡Ü RB < 1 k.
- C.
1 k ¡Ü RB < 10 k.
- D.
10 k ¡Ü RB < 100 k.
- E.
100 k ¡Ü RB ¡Ü 1 M.
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A tensão no ponto 1, em V, encontra-se na faixa:
- A.
0 ¡Ü V1 < 2.
- B.
2 ¡Ü V1 < 4.
- C.
4 ¡Ü V1 < 6.
- D.
6 ¡Ü V1 < 8.
- E.
8 ¡Ü V1 ¡Ü 10.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Sobre o circuito, é correto afirmar que, em condições normais de polarização,
- A.
ele apresenta a forma de onda na saída sem a parte negativa da forma da onda de entrada.
- B.
nele não se consegue boa linearidade.
- C.
ele é um amplificador Classe B.
- D.
ele é um amplificador ineficiente: caso Vin seja nulo, a corrente no coletor não será nula.
- E.
o transistor atua sempre próximo à saturação.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Deseja-se ter a máxima potência na carga sem distorção, de forma que o ponto de operação mais adequado que pode ser escolhido na curva característica do transistor é o
- A.
1.
- B.
2.
- C.
3.
- D.
4.
- E.
5.
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