Questões de Engenharia Eletrônica
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- A.
(1 - 3 - 5 - 7); (2 - 4 - 6 - 8).
- B.
(1 - 5); (3 - 6 - 7); (2 - 4 - 8).
- C.
(1 - 3); (2 - 8); (4 - 5); (6 - 7).
- D.
(1 - 7); (3 - 5 - 8); (2 - 4 - 6).
- E.
(1 - 5 - 7); (3 - 6 - 8); (2 - 4).
Engenharia Eletrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Uma importante etapa da fabricação de circuitos integrados é a deposição de filmes muito finos e estreitos de um metal formando uma linha que conecta os diversos dispositivos. Após a deposição desses materiais, outros tratamentos térmicos ainda devem ser realizados com temperaturas de até 500º C. Caso ocorra difusão do metal para o interior do silicone, o circuito integrado pode perder a sua funcionalidade elétrica. Observe os coeficientes de difusão dos metais abaixo no silício (Si):
I coeficiente de difusão da prata (Ag) = 4,2 x 10-17m2/s.
II coeficiente de difusão do alumínio (Al) = 2,5 x 19-21 m2/s.
III coeficiente de difusão do ouro (Au) =2,5 x 19-15 m2/s.
IV coeficiente de difusão do cobre (Cu) = 4 x 10-13m2/s.
Com base nesses dados e no enunciado da questão, o metal mais indicado para a formação das linhas de interconexão é
- A. Prata - Ag.
- B. Alumínio - Al.
- C. Ouro - Au.
- D. Cobre - Cu.
- E. Nenhum dos metais, pois todos são semicondutores.
Considere que um sistema de termo-acumulação utiliza uma solução de água e etilenoglicol, cujo comportamento é mostrado no gráfico acima, que é bombeada a -20 oC por tanques de gelo para armazenamento latente de energia. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.
Para operar na condição apresentada deve-se utilizar uma solução aquosa com aproximadamente 350 mL de etilenoglicol por litro de solução. Contudo, é conveniente adotar uma concentração maior, pois, além de garantir a segurança de operação, maiores concentrações de etilenoglicol permitem intensificar a transferência de calor e, ao mesmo tempo, reduzir a perda de carga.
- C. Certo
- E. Errado
Tem a função de armazenar endereço de retorno de sub-rotinas e interrupções nos microprocessadores. Trata-se de
- A.
Stack.
- B.
Aritmetic Logic Unit.
- C.
Unidade de Controle.
- D.
Program Counter.
- E.
Acumulador.
Engenharia Eletrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
A oxidação térmica do silício tem como finalidade
I formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si). II auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2). III a passivação da superfície do wafer. Assinale a alternativa correta.- A. I, II e III estão corretas.
- B. Apenas II e III estão corretas.
- C. Apenas I e III estão corretas.
- D. Apenas I e II estão corretas.
- E. Apenas II está correta.
- A.
preset.
- B.
reset.
- C.
clear.
- D.
enable.
- E.
clock.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
Nas frequências para as quais o modelo apresentado pode ser aplicado, a defasagem entre o sinal da saída vo e o sinal de entrada vi é de zero grau.
- C. Certo
- E. Errado
Engenharia Eletrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
- A. 9 V e 90 V.
- B. 90 V e 9 V.
- C. 8,1 V e 81 V.
- D. 9,2 V e 92 V.
- E. 72 V e 7,2 V.
Caracteriza um amplificador operacional ideal:
- A.
impedância de entrada nula.
- B.
ganho de tensão em malha aberta infinito.
- C.
impedância de saída infinita.
- D.
tensão de off-set infinita.
- E.
largura de banda nula.
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