Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2008

A figura acima mostra um gráfico com as assíntotas de um diagrama de Bode para um circuito RC de primeira ordem, constituído por um único resistor R e um único capacitor C. Com base nas informações da figura e nas características desse tipo de circuito, julgue os itens a seguir.

Na frequência f₀, o valor esperado para o ganho de tensão é, na realidade, igual a -3 dB.

• C. Certo
• E. Errado

Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxidosemicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir. O BJT é denominado bipolar porque funciona de maneira semelhante para tensões positivas e negativas.

• C. Certo
• E. Errado

De importância crescente, as células solares fotovoltaicas já são comumente empregadas na alimentação de pequenas cargas ao ar livre e no recarregamento de bateriais de sistemas embarcados. Mecanismos para melhorar a eficiência desses elementos têm sido intensamente pesquisados para permitir o uso mais geral dessa tecnologia de produção de energia limpa. Acerca das células solares fotovoltaicas, julgue os itens de 65 a 70. Para se obter um fator de preenchimento elevado, a curva I × V da célula deve se aproximar o máximo possível da reta que contém os pontos (0, I_CC) e (V_CA, 0).

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os próximos itens, relativos à caracterização de circuitos e dispositivos lineares e passivos, que operam em micro-ondas. Um dispositivo de uma porta pode ser adequadamente caracterizado, para determinada frequência de operação, pela impedância definida em seus terminais.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os próximos itens, relativos à caracterização de circuitos e dispositivos lineares e passivos, que operam em micro-ondas. Um circuito de duas portas pode ser completamente caracterizado conhecendo-se apenas a sua matriz ABCD.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os próximos itens, relativos à caracterização de circuitos e dispositivos lineares e passivos, que operam em micro-ondas. A matriz espalhamento S equivalente da associação em cascata de dois dispositivos caracterizados, respectivamente, por suas matrizes espalhamento S₁ e S₂ é dada por S = S₁ + S₂.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os próximos itens, relativos à caracterização de circuitos e dispositivos lineares e passivos, que operam em micro-ondas. A impedância característica de uma linha de transmissão conectada a um circuito de uma porta é, necessariamente, igual a

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os próximos itens, relativos à caracterização de circuitos e dispositivos lineares e passivos, que operam em micro-ondas. A matriz espalhamento de um dispositivo de quatro portas possui dimensão igual a 4.

• C. Certo
• E. Errado

A figura acima ilustra, em termos de suas portas de entrada e saída, um quadripolo linear passivo. Com referência a essa figura e à correspondente matriz espalhamento S do quadripolo, julgue os itens seguintes.

O parâmetro S₁₁ corresponde ao coeficiente de reflexão na porta 1 com a porta 2 em curto-circuito.

• C. Certo
• E. Errado

A figura acima ilustra, em termos de suas portas de entrada e saída, um quadripolo linear passivo. Com referência a essa figura e à correspondente matriz espalhamento S do quadripolo, julgue os itens seguintes.

O parâmetro S₁₂ corresponde ao coeficiente de transmissão entre a porta 1 e a porta 2 com a porta 1 casada.

• C. Certo
• E. Errado