Questões sobre Eletrônica de Potência

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  Se E₂ = 0, então B₂ = A₂.

• E.

  Se E₂ = 1, então B₂ = alta impedância.

As equações que definem o campo elétrico de uma onda circularmente polarizada (em z = 0) são:

• A.

  E_x(t) = A sen (wt)

  E_y(t) = A sen (wt)

• B.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt)

• C.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt ± ð)

• D.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt ± ð/2)

• E.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt ± ð/4)

Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio

• A.

  da retirada total de seus elétrons.

• B.

  da adição de átomos considerados como impurezas.

• C.

  de seu congelamento permanente.

• D.

  de sua fusão com fios de cobre.

• E.

  de sua transformação em átomos de hidrogênio.

Considerando a estrutura de bandas de energia, assinale a característica básica de um material isolante.

• A.

  Sua banda proibida tem largura grande o suficiente para impedir o acesso entre a banda de valência e a banda de condução.

• B.

  Sua banda proibida é estreita o suficiente para que haja o acesso entre a banda de valência e a banda de condução.

• C.

  Não possui banda proibida, pois não suporta temperaturas superiores a 40 ºC.

• D.

  Não possui banda de valência, pois os elétrons livres ficam todos concentrados na banda proibida.

• E.

  Não possui banda de condução, tendo em vista que não possui elétrons em sua composição.

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que

• A.

  cargas positivas eliminam cargas negativas.

• B.

  cargas negativas não sofrem movimentação nesses materiais.

• C.

  cargas não podem ser criadas ou destruídas.

• D.

  o número de cargas negativas duplica em um processo de condução.

• E.

  o número de cargas positivas duplica em um processo de condução.

Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

A curva característica de um diodo túnel é:

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de

• A.

  avalanche.

• B.

  chaveamento.

• C.

  compensação.

• D.

  distorção.

• E.

  histerese.

• A.

  (a) diodo bilateral, (b) SCR e (c) varicap.

• B.

  (a) diodo Schottky, (b) DIAC e (c) diodo túnel.

• C.

  (a) SCR, (b) TRIAC e (c) DIAC.

• D.

  (a) TRIAC, (b) diodo Schottky e (c) diodo Zener.

• E.

  (a) diodo bilateral, (b) varicap e (c) SCR.