Questões de Engenharia Eletrônica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

A ferramenta para qualidade e produtividade que consiste em um método sistemático e pró-ativo para avaliar um processo de forma a identificar onde e como ele pode falhar é conhecida como

• A. MASP.
• B. FMEA.
• C. Gráfico de Pareto.
• D. Diagrama de Dispersão.
• E. Diagrama de Causa e Efeito.

Ao realizar uma análise de tipos e efeitos de falhas, um determinado tipo de falha foi classificada como de ocorrência ocasional (nível 5 de um máximo de 10), como de gravidade pequena (nível 4 de um máximo de 10) e como de detecção alta (nível 3 de um máximo de 10). O coeficiente da prioridade do risco para esse tipo de falha é igual a

• A. 12.
• B. 1200.
• C. 60.
• D. 160.
• E. 12000.

O valor mínimo possível para o coeficiente da prioridade do risco para um determinado tipo de falha, considerando que as classificações de gravidade, ocorrência e detecção podem ser graduadas de 1 a 10, é igual a

• A. 1.
• B. 2.
• C. 3.
• D. 5.
• E. 10.

Assinale a alternativa que NÃO apresenta um tipo de FMEA.

• A. FMEA do produto.
• B. FMEA heurístico.
• C. FMEA do processo.
• D. FMEA de serviço.
• E. FMEA do sistema.

Considerando uma amostra de tamanho 100 em que dados históricos revelaram uma proporção média de defeitos igual a 10%, pode-se afirmar que o desvio-padrão da distribuição da proporção de peças defeituosas é igual a

• A. 0,0009.
• B. 0,03.
• C. 0,003.
• D. 0,009.
• E. 0,3.

As afirmativas abaixo se referem a técnicas usadas no processo de fabricação de circuitos integrados.

I – Técnica usada na fabricação de circuitos integrados para transferir um padrão desejado para a superfície do wafer, sendo considerada a etapa fundamental de todo o processo.

II – Remoção seletiva de material das áreas do wafer desprotegidas.

III – Na deposição de uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a orientação cristalina do substrato.

Assinale a alternativa que relaciona corretamente a afirmativa com a técnica a que se refere.

• A. I – Fotolitografia; II – Etching; III – Crescimento epitaxial.
• B. I – Crescimento epitaxial; II – Etching ; III – Fotolitografia.
• C. I – Etching; II - Crescimento epitaxial; III – Fotolitografia.
• D. I – Crescimento epitaxial; II – Fotolitografia; III – Etching.
• E. I – Fotolitografia; II – Crescimento epitaxial; III – Etching.

Abaixo são citadas características de dois tipos de etching: o seco e o molhado.

I – É anisotrópico, por isso, menos suscetível a remoções laterais indesejadas, ocorrendo em taxas mais lentas.

II – Usa agentes químicos, e apresenta remoção altamente seletiva e isotrópica.

III – Ocasiona remoção lateral indesejada

A(s) afirmativa(s) que se refere(m) ao etching seco é (são):

• A. I, II e III.
• B. II e III.
• C. I.
• D. II.
• E. III.

Uma importante etapa da fabricação de circuitos integrados é a deposição de filmes muito finos e estreitos de um metal formando uma linha que conecta os diversos dispositivos. Após a deposição desses materiais, outros tratamentos térmicos ainda devem ser realizados com temperaturas de até 500º C. Caso ocorra difusão do metal para o interior do silicone, o circuito integrado pode perder a sua funcionalidade elétrica. Observe os coeficientes de difusão dos metais abaixo no silício (Si):

I – coeficiente de difusão da prata (Ag) = 4,2 x 10^-17m²/s.

II – coeficiente de difusão do alumínio (Al) = 2,5 x 19^-21 m²/s.

III – coeficiente de difusão do ouro (Au) =2,5 x 19^-15 m²/s.

IV – coeficiente de difusão do cobre (Cu) = 4 x 10^-13m²/s.

Com base nesses dados e no enunciado da questão, o metal mais indicado para a formação das linhas de interconexão é

• A. Prata - Ag.
• B. Alumínio - Al.
• C. Ouro - Au.
• D. Cobre - Cu.
• E. Nenhum dos metais, pois todos são semicondutores.

A oxidação térmica do silício tem como finalidade

I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).

II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO₂).

III – a passivação da superfície do wafer.

Assinale a alternativa correta.

• A. I, II e III estão corretas.
• B. Apenas II e III estão corretas.
• C. Apenas I e III estão corretas.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II está correta.

• A. 9 V e 90 V.
• B. 90 V e 9 V.
• C. 8,1 V e 81 V.
• D. 9,2 V e 92 V.
• E. 72 V e 7,2 V.