Questões de Engenharia Química do ano 2012

Uma forma sistemática de limpeza, denominada limpeza acústica, utiliza um "mecanismo suave de limpeza". O processo gera ondas sonoras que vibram os materiais. Esse processo é usado mais frequentemente nas indústrias de semicondutores, porque é menos susceptível de causar danos, especialmente para aqueles materiais sensíveis que precisam ser limpos regularmente. Os tipos mais comuns dessa tecnologia são o ultrassom e o megasonic. Qual a principal diferença entre o sistema de limpeza ultrassônica e megasonic?

• A. O ultrassom utiliza frequência mais elevada.
• B. O ultrassom gera cavitação controlada.
• C. O megasonic causa efeitos de cavitação menos violentos.
• D. Ondas de ultrassom podem ser captadas pela audição humana.
• E. Quando o megasonic causa danos ao material, é indicado o ultrassom.

Um procedimento-padrão de limpeza na fabricação de Circuitos Integrados é verificar se os recipientes e materiais que serão manipulados estão limpos. Isso ocorre antes mesmo da limpeza das lâminas de silício, para evitar a contaminação. Nesse caso, ocorrem 2 (duas) etapas de limpeza desses materiais: a de pré-lavagem e a de retirada de gordura. A etapa de pré-lavagem é realizada com detergente apropriado. Outra possibilidade é que, em vez da lavagem com detergente, as vidrarias do laboratório sejam mergulhadas em uma solução denominada

• A. BOE.
• B. SPM.
• C. SC1.
• D. SC2.
• E. Água régia (HCl/HNO₃).

Difusão, na fabricação de Circuitos Integrados, refere-se à migração forçada e controlada de impurezas no substrato. O perfil de impurezas resultante, que tem papel importante no desempenho do Circuito Integrado, é afetado pela temperatura e pelo tempo de difusão. Fontes de impurezas podem ser líquidas, gasosas e sólidas e são colocadas em contato com o silício do substrato. Dentre as impurezas gasosas, as mais usadas como dopantes do tipo p e dopantes do tipo n, respectivamente, são

• A. B₂H₆ e PH₃.
• B. PH₃ e AsH₃.
• C. PH₃ e B₂H₆.
• D. BCl₃ e B₂H₆.
• E. AsH₃ e BCl₃.

O controle da limpeza e de contaminações é um fator de grande preocupação na fabricação dos dispositivos eletrônicos. Portanto, toda água utilizada no processo de limpeza-padrão deve ser deionizada e todos os produtos químicos utilizados devem ser de grau eletrônico (grau de pureza do produto em %). Dessa forma, a água deionizada é um produto químico muito importante usado na limpeza da lâmina e durante todo o processo de fabricação da microeletrônica. O monitoramento da limpeza com água deionizada, entre as lavagens das lâminas de silício, ocorre avaliando

• A. a coloração da água.
• B. o odor da água.
• C. a resistividade da água.
• D. o paladar da água.
• E. a vaporização da água.

Depois que o substrato exposto é processado, o fotorresiste é removido da superfície, deixando uma janela no dióxido de silício. Para a remoção do fotorresiste, utiliza-se tradicionalmente uma série de processos químicos secos ou em soluções líquidas nos strippers (processos de remover completamente o resiste), que fazem com que o resiste inche e perca sua adesão do substrato. Dentre os compostos de remoção completa de fotorresiste, qual o que tem o mecanismo de quebra de ligações e dissolução?

• A. Oxigênio (por plasma).
• B. Acetona.
• C. Orgânicos aminos.
• D. H₂O₂.
• E. Água deionizada.

O processo químico de forma seca, através da remoção por plasma, pode ser realizado por meio da utilização de plasma de oxigênio, onde ocorre a oxidação do resiste, removendo-o da superfície. As remoções de resistes por meio de soluções líquidas são também usadas e preferidas nos processos de front end of the line (processo de fabricação frontal e de linha do Circuito Integrado), onde a superfície e o estreito canal de condução (fonte e dreno) do circuito são

• A. sensíveis e vulneráveis aos danos causados pelo processo de remoção por plasma.
• B. sensíveis à oxidação.
• C. destruídas pela dissolução.
• D. sensíveis e vulneráveis aos danos causados pelo processo de ultrassom.
• E. resistentes à oxidação em vácuo.

Cérebro dos sistemas e equipamentos eletrônicos, os chips, semicondutores de silício, são constantemente aperfeiçoados, ganhando cada vez mais precisão, com peças menores e mais eficientes. Isso significa também o surgimento de uma preocupação obsessiva com a limpeza. Qualquer infinitesimal partícula de sal ou de contaminantes orgânicos remanescentes na água pode provocar passagem de corrente elétrica e consequentes curtos-circuitos entre os trilhos condutivos do chip, danificando os sofisticados equipamentos. Quanto menor for a distância entre os trilhos, o que se traduz por maior capacidade de transmitir informações, maior será a necessidade de ultrapurificar a água. Dentre os tratamentos usuais para a obtenção de água ultrapura, pode-se destacar o seguinte tratamento terciário:

• A. flotação.
• B. processos de lodos ativados.
• C. decantação.
• D. lagoas de estabilização.
• E. troca iônica.

• A. superior à pressão osmótica do lado da solução diluída.
• B. superior à pressão osmótica do lado da solução concentrada.
• C. igual à pressão osmótica do lado da solução diluída.
• D. igual à pressão osmótica do lado da solução concentrada.
• E. inferior à pressão osmótica do lado da solução concentrada.

• A. a eluição do Fe é elevada com o aumento da temperatura no eluente NaSCN.
• B. a recuperação de Cu é elevada, quando eluído com soluções de íons nitrato em comparação com tiocianato.
• C. a recuperação de Zn é elevada ao se substituir NaNO3 por NaSCN.
• D. o efeito da temperatura na eluição de Zn é maior no eluente NaNO₃ do que no eluente NaSCN.
• E. o número de volumes de leito não influenciou as eluições dos metais em estudo.

• A. copolímero acrilato-benzeno.
• B. copolímero estireno-tolueno.
• C. copolímero vinilpiridina-divinilbenzeno.
• D. copolímero estireno-divinilbenzeno.
• E. copolímero acrilato-divinilbenzeno.