Questões sobre Geral

O emprego de microscópios eletrônicos de varredura (MEV) equipados com espectrômetro de dispersão de energia (EDS) e espectrômetro de dispersão de comprimento de onda (WDS) permite a realização de análises

• A.

  microestruturais de materiais, análises morfológicas de superfícies de fratura e análises químicas qualitativas e quantitativas de fases e inclusões.

• B.

  morfológicas em materiais particulados, análises de materiais nanoestruturados e a determinação da textura cristalina.

• C.

  microestruturais e morfológicas em materiais particulados, em soluções coloidais e análises químicas qualitativas.

• D.

  microestruturais e morfológicas em materiais particulados, em soluções coloidais e em amostras biológicas.

• E.

  microestruturais de materiais poliméricos, análises morfológicas de materiais nanoestruturados e análises químicas qualitativas e quantitativas de soluções coloidais.

Com relação aos processos de reciclagem dos materiais de engenharia,

• A.

  os vidros apresentam baixas taxas de reciclagem em razão do baixo valor agregado de suas matérias-primas. O consumo energético para este tipo de reciclagem é elevado se comparado ao consumo necessário para processar o vidro a partir de suas matérias-primas virgens.

• B.

  os materiais metálicos não-ferrosos apresentam elevadas taxas de reciclagem em razão do elevado valor agregado destes materiais. O consumo energético para este tipo de reciclagem é baixo se comparado ao consumo energético necessário para processar o metal a partir de suas matérias-primas virgens.

• C.

  os materiais polímeros apresentam elevadas taxas de reciclagem em razão do baixo consumo energético para a reciclagem e o elevado valor agregado destes materiais.

• D.

  os materiais compósitos apresentam elevadas taxas de reciclagem em razão de seu valor agregado. O processo de separação de suas fases apresenta elevado consumo energético.

• E.

  a reciclagem de cerâmicas avançadas apresenta baixas frações de material reciclado em razão da toxidade destes materiais e pela dificuldade de separação destes materiais de seus contaminantes.

O revestimento inferior externo ou escudo térmico utilizado nos ônibus espaciais americanos (Endeavour e Discovery) é constituído por um conjunto de blocos montados na parte inferior destas naves. Estes blocos são produzidos com material

• A.

  cerâmico maciço com elevada resistência mecânica e baixo coeficiente de dilatação térmica.

• B.

  cerâmico poroso com elevada condutividade térmica e baixo coeficiente de dilatação térmica.

• C.

  metálico poroso de elevada massa atômica e elevada resistência ao calor.

• D.

  metálico maciço de baixa densidade e elevada resistência ao calor.

• E.

  cerâmico poroso com baixa condutividade térmica e baixo coeficiente de dilatação térmica.

Com base nessas informações e na figura acima, julgue os próximos itens.

No fluxograma, os equipamentos designados por B e C representam bombas de recirculação.c

• C. Certo
• E. Errado

Com base nessas informações e na figura acima, julgue os próximos itens.

Para que o fluxograma apresentado se torne um fluxograma de processo, é necessário inserir informações acerca das taxas do sistema e dos valores das variáveis operacionais, tais como temperatura e pressão para fluxos mínimo, normal e máximo, bem como a composição dos fluidos, além de apresentar, de forma explícita, os controles das válvulas que afetam a operação do sistema.

• C. Certo
• E. Errado

Os filmes finos utilizados na fabricação dos Circuitos Integrados devem apresentar características rigorosamente controladas. A espessura, a estrutura atômica e a composição química devem ser uniformes, com baixa densidade de defeitos e mínima contaminação por partículas. Dessa forma, as limpezas químicas em microeletrônica exercem um papel muito importante, pois permitem

• A. Elevar a aderência, enfraquecendo a ligação atômica na zona de interface.
• B. Minimizar a aderência, elevando as tensões internas no filme depositado.
• C. Desprender o filme fino com o seu rompimento.
• D. Evitar o comportamento falho dos dispositivos.
• E. Formar reações de oxidação entre o filme e o substrato.

Com base nessas informações e na figura acima, julgue os próximos itens.

No fluxograma, o equipamento designado por A representa o condensador.

• C. Certo
• E. Errado

Antes do uso, as lâminas de Silício são limpas quimicamente para remover partículas e contaminações da superfície, assim como alguns vestígios de impurezas orgânicas, inorgânicas e metálicas. Entretanto, um problema relevante nos processos de limpeza é a remoção dos metais da superfície da lâmina. Existem íons que não são dissolvidos na maioria das soluções de limpeza ou de “decapagem”. Nesse caso, se adiciona ácido acético, capaz de se unir aos íons metálicos para que não se depositem na lâmina. Dentre os metais contaminantes, aquele que necessita do ácido acético para ser eliminado é o:

• A. Ag.
• B. Cu.
• C. Cd.
• D. Zn.
• E. PB.

Acerca de balanços de materiais e de energia, com ou sem reação química, julgue os itens de 115 a 117.

Em sistemas estacionários fechados, existe acúmulo de massa e energia no sistema, isto é, a variação da energia interna ()E) é diferente de zero. Então, o calor (Q) e o trabalho (W) são constantes, tanto para dentro como para fora do sistema, de forma que

• C. Certo
• E. Errado

O estudo e desenvolvimento de processos de oxidação de Si permitiram em 1960 o desenvolvimento do transistor de efeito de campo com porta isolada, ou seja, o transistor MOSFET ou simplesmente MOS. Os dispositivos MOS apresentavam uma interface SiO2/Si de muito boa qualidade, com baixa densidade de estados de superfície. Mas, apesar disso, apresentavam uma estabilidade pobre, causando um atraso de mais de 10 anos para seu uso em grande escala. O motivo desse problema era a falta de controle de contaminação de impurezas. Mais especificamente, as impurezas responsáveis por cargas positivas dentro do isolante de porta e que causam um desvio na tensão de limiar dos transistores (altera a densidade de portadores induzidos no canal). Dentre as impurezas catiônicas possíveis, tem-se a impureza de

• A. Cl₂.
• B. O₂.
• C. Na.
• D. N₂.
• E. S_(rômbico).