Questões sobre Geral

Julgue os itens seguintes, relativos a águas potáveis e industriais.

A remoção de dureza de águas industriais pode ser efetuada por meio de precipitação química com base na adição de hidróxido de cálcio e carbonato de sódio, tratamento conhecido como processo de cal e soda.

• C. Certo
• E. Errado

Uma forma sistemática de limpeza, denominada limpeza acústica, utiliza um "mecanismo suave de limpeza". O processo gera ondas sonoras que vibram os materiais. Esse processo é usado mais frequentemente nas indústrias de semicondutores, porque é menos susceptível de causar danos, especialmente para aqueles materiais sensíveis que precisam ser limpos regularmente. Os tipos mais comuns dessa tecnologia são o ultrassom e o megasonic. Qual a principal diferença entre o sistema de limpeza ultrassônica e megasonic?

• A. O ultrassom utiliza frequência mais elevada.
• B. O ultrassom gera cavitação controlada.
• C. O megasonic causa efeitos de cavitação menos violentos.
• D. Ondas de ultrassom podem ser captadas pela audição humana.
• E. Quando o megasonic causa danos ao material, é indicado o ultrassom.

Julgue os itens seguintes, relativos a águas potáveis e industriais.

No tratamento de água para consumo humano, a troca iônica é o processo mais eficiente para a remoção de metais pesados.

• C. Certo
• E. Errado

Um procedimento-padrão de limpeza na fabricação de Circuitos Integrados é verificar se os recipientes e materiais que serão manipulados estão limpos. Isso ocorre antes mesmo da limpeza das lâminas de silício, para evitar a contaminação. Nesse caso, ocorrem 2 (duas) etapas de limpeza desses materiais: a de pré-lavagem e a de retirada de gordura. A etapa de pré-lavagem é realizada com detergente apropriado. Outra possibilidade é que, em vez da lavagem com detergente, as vidrarias do laboratório sejam mergulhadas em uma solução denominada

• A. BOE.
• B. SPM.
• C. SC1.
• D. SC2.
• E. Água régia (HCl/HNO₃).

Julgue os itens seguintes, relativos a águas potáveis e industriais.

O uso industrial de água com dureza elevada é prejudicial, uma vez que esse tipo de água favorece a dissolução de substâncias, o que provoca o desgaste dos equipamentos com os quais mantém contato.

• C. Certo
• E. Errado

Difusão, na fabricação de Circuitos Integrados, refere-se à migração forçada e controlada de impurezas no substrato. O perfil de impurezas resultante, que tem papel importante no desempenho do Circuito Integrado, é afetado pela temperatura e pelo tempo de difusão. Fontes de impurezas podem ser líquidas, gasosas e sólidas e são colocadas em contato com o silício do substrato. Dentre as impurezas gasosas, as mais usadas como dopantes do tipo p e dopantes do tipo n, respectivamente, são

• A. B₂H₆ e PH₃.
• B. PH₃ e AsH₃.
• C. PH₃ e B₂H₆.
• D. BCl₃ e B₂H₆.
• E. AsH₃ e BCl₃.

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Um processo para a remoção de ferro das águas consiste no uso de agentes oxidantes seguido de precipitação.

• C. Certo
• E. Errado

O controle da limpeza e de contaminações é um fator de grande preocupação na fabricação dos dispositivos eletrônicos. Portanto, toda água utilizada no processo de limpeza-padrão deve ser deionizada e todos os produtos químicos utilizados devem ser de grau eletrônico (grau de pureza do produto em %). Dessa forma, a água deionizada é um produto químico muito importante usado na limpeza da lâmina e durante todo o processo de fabricação da microeletrônica. O monitoramento da limpeza com água deionizada, entre as lavagens das lâminas de silício, ocorre avaliando

• A. a coloração da água.
• B. o odor da água.
• C. a resistividade da água.
• D. o paladar da água.
• E. a vaporização da água.

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A turbidez é causada pelos sólidos dissolvidos na água, os quais podem ser removidos por meio de sedimentação simples, em decantadores.

• C. Certo
• E. Errado

Depois que o substrato exposto é processado, o fotorresiste é removido da superfície, deixando uma janela no dióxido de silício. Para a remoção do fotorresiste, utiliza-se tradicionalmente uma série de processos químicos secos ou em soluções líquidas nos strippers (processos de remover completamente o resiste), que fazem com que o resiste inche e perca sua adesão do substrato. Dentre os compostos de remoção completa de fotorresiste, qual o que tem o mecanismo de quebra de ligações e dissolução?

• A. Oxigênio (por plasma).
• B. Acetona.
• C. Orgânicos aminos.
• D. H₂O₂.
• E. Água deionizada.