Questões sobre Termologia

Julgue os itens a seguir, relativos aos conceitos de energia e termodinâmica.

O grau de desordem de um sistema é chamado de entropia, a qual tende sempre a aumentar.

• C. Certo
• E. Errado

Em um experimento, foram colocados em um pequeno forno, durante o mesmo tempo, um disco de ferro e uma quantidade equivalente de água, que, a princípio, estavam à mesma temperatura. A quantidade de calor recebida por ambos foi a mesma, contudo, após o aquecimento, o ferro apresentou temperatura superior à da água.

Considerando conceitos de energia e termodinâmica, julgue os itens a seguir, referentes ao experimento acima descrito.

O fato de as temperaturas finais dos dois materiais terem sido diferentes está relacionado a uma propriedade intrínseca dos mesmos, chamada calor específico.

• C. Certo
• E. Errado

Em um experimento, foram colocados em um pequeno forno, durante o mesmo tempo, um disco de ferro e uma quantidade equivalente de água, que, a princípio, estavam à mesma temperatura. A quantidade de calor recebida por ambos foi a mesma, contudo, após o aquecimento, o ferro apresentou temperatura superior à da água.

Considerando conceitos de energia e termodinâmica, julgue os itens a seguir, referentes ao experimento acima descrito.

Com base no experimento descrito, é correto afirmar que a capacidade calorífica da água é maior do que a capacidade calorífica do ferro.

• C. Certo
• E. Errado

O diesel tem calor de combustão igual a 10000 kcal/kg. Um motor a diesel opera com rendimento de 20%, consumindo um grama de óleo por ciclo, com uma freqüência de 7,5 ciclos por segundo. Sabendo-se que 1 cal ≈ 4 J e 1 C ≈ 750 W, pode-se concluir que a quantidade de cavalos desenvolvida por esse motor é igual a

• A. 60.
• B. 80
• C. 150.
• D. 180

Durante o trecho isotérmico em que, no motor de Carnot, uma massa m de um gás de massa molecular M expande-se à temperatura T₁, de um volume V₁ até um volume V₂, ele executa um trabalho dado por:

• A.
• B.
• C.
• D.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase vapor é também chamada de deposição por vapor químico. Uma das modalidades de deposição por vapor químico mais usadas é a epitaxia por fase vapor de organometálicos.

• C. Certo
• E. Errado

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

Nas técnicas de epitaxia por fase líquida e por fase vapor, o crescimento de cristais semicondutores ocorre em condições de não-equilíbrio, diferentemente da técnica de epitaxia por feixe molecular, que se desenvolve em condições de quase-equilíbrio, sendo que o principal processo é o da cinética da superfície.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Das técnicas de epitaxia mais usadas, a técnica de epitaxia por feixe molecular é a que oferece um melhor controle na concentração dos dopantes e também é a que fornece interfaces das junções p-n mais abruptas.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O processo de difusão envolve a substituição de um átomo da rede pelo átomo dopante. Esse processo é geralmente muito rápido e pode ser feito à temperatura ambiente.

• C. Certo
• E. Errado