Questões sobre Práticas Laboratoriais em química

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A respeito da norma vigente que estabelece as especificações para álcool etílico anidro combustível (AEAC) e álcool etílico hidratado combustível (AEHC), julgue os itens subsequentes.

A adição de água ao AEAC para sua posterior comercialização pode ser detectada por meio da alteração visual.

  • C. Certo
  • E. Errado

O processo de tratamento pelo qual a área de contato entre a água e o ar é aumentada, de modo a facilitar o inter-câmbio ou troca de gases e substâncias voláteis entre a água e o ar é chamado de:

  • A.

    aeração

  • B.

    coagulação

  • C.

    flotação

  • D.

    limpeza

  • E.

    aglomeração

A respeito da norma vigente que estabelece as especificações para álcool etílico anidro combustível (AEAC) e álcool etílico hidratado combustível (AEHC), julgue os itens subsequentes.

Para o AEAC, os ensaios de aspecto e de cor devem ser realizados com o espectrofotômetro de UV-Vis, enquanto para o AEHC, esses ensaios podem ser feitos apenas por meio de análise visual.

  • C. Certo
  • E. Errado

A respeito da norma vigente que estabelece as especificações para álcool etílico anidro combustível (AEAC) e álcool etílico hidratado combustível (AEHC), julgue os itens subsequentes.

O indicador de Yamada, por fornecer resultados quantitativos, é indicado pela ANP para ser utilizado como método alternativo para a determinação do potencial hidrogeniônico (pH) para álcool combustível.

  • C. Certo
  • E. Errado

Quais os principais materiais empregados em máscaras litográficas?

  • A. Emulsão fotográfica, cromo sobre quartzo e ferróxido sobre quartzo.
  • B. Cromo sobre vidro óptico, pirex com resina, negativo fotográfico.
  • C. Silício corroído, filmes finos de titânio, PDMS.
  • D. Película de Berílio, PDMS e PGMEA.
  • E. Cromo sobre quartzo, PDMS, Kapton.

Como é definida a tolerância que pode ser aceita em um processo litográfico?

  • A. Pelas regras de leiaute do CI em ¼ da menor dimensão do dispositivo.
  • B. Pela tecnologia, atualmente em 0,27 micrometros.
  • C. Pela resolução do sistema ótico, 4 vezes a resolução do sistema.
  • D. Pela resolução do sistema ótico, 4 vezes o comprimento de onda.
  • E. Pelo menor passo da alinhadora.

O que é modo de contato em fotolitografia?

  • A. É o método utilizado para dupla exposição do fotorresiste sem perda de definição.
  • B. É o modo de exposição em que o substrato fica em contato íntimo com a máscara litográfica.
  • C. É o método de geração de imagem na superfície do fotorresiste com posterior difusão do solvente.
  • D. É o modo no qual a máscara litográfica é colocada próxima a fonte de UV.
  • E. É o uso de sistemas litográficos com fixação do substrato por vácuo no chuck da alinhadora.

Quais as reações que ocorrem durante o Prebake ?

  • A. O endurecimento do fotorresiste para resistir as corrosões por plasma.
  • B. A homogenização do fotorresiste e o aumento da sensibilidade.
  • C. A degradação do fotorresiste e sua posterior remoção.
  • D. A remoção do solvente, a adesão do fotorresiste e a ativação do foto-ácido.
  • E. A transição vítrea do polímero.

Quais as fontes de UV para os comprimentos de onda: 436 nm, 405 nm, 365 nm, 193 nm e 249 nm respectivamente?

  • A. h-line Hg, i-line Hg, g-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
  • B. g-line Hg, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
  • C. laser de ArF e laser de KrF, h-line Hg, i-line Hg, laser de Xe.
  • D. Xe flash, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
  • E. g-line Hg, Xe flash, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.

O que é o processo lift-off ?

  • A. É a corrosão da camada sob o fotorresiste utilizando técnicas de redução de tensão superficial.
  • B. É o processo de remoção do fotorresiste após a corrosão de metais.
  • C. É um processo litográfico aditivo, em que uma camada de metal é depositada de forma a ser utilizada como máscara litográfica invertida sobre uma camada espessa de fotorresiste.
  • D. É o processo de limpeza do promotor de aderência do substrato de silício.
  • E. É a completa remoção por processos químicos do fotorresiste após o hard-bake.
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