Questões de Engenharia de Telecomunicações do ano 2012
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Engenharia de Telecomunicações - Dispositivos Eletrônicos - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O transistor deve ser fabricado com a região do coletor mais extensa que a região da base e a região do emissor, uma vez que essa região dissipa mais calor que as demais.
- C. Certo
- E. Errado
Engenharia de Telecomunicações - Dispositivos Eletrônicos - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
Na operação de um transistor em região linear, para se obter ganho de corrente entre o que é injetado na base e o que trafega entre emissor e coletor, a junção entre emissor e base precisa ser polarizada diretamente e a junção base e coletor, polarizada inversamente.
- C. Certo
- E. Errado
Engenharia de Telecomunicações - Dispositivos Eletrônicos - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
No que se refere a transistores de junção, julgue os itens a seguir.
O par emissor-base é conhecido como diodo emissor e o par base-coletor, como diodo coletor, então o transistor pode, esquematicamente, ser visto como a união entre diodo emissor e diodo coletor. Na prática, um transistor pode ser obtido pela união de dois diodos discretos, um de costas para o outro.
- C. Certo
- E. Errado
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
- A.
20,8 Hz
- B.
12,4 Hz
- C.
9,6 Hz
- D.
4,8 Hz
- E.
2,4 Hz
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
- A.
12,5
- B.
25
- C.
50
- D.
75
- E.
125
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
Um capacitor de 220 nF e um indutor de 220 μH encontram- se ligados em paralelo e estão submetidos a uma tensão senoidal de 40 kHz. Sendo XC a reatância do capacitor e XL a do indutor, é correta a relação:
- A.
XL / XC ≅ 10
- B.
XL / XC ≅ 10
- C.
XL ≅ XC
- D.
XL < XC
- E.
XC ≅ 8. XL
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
Caracterizam um FET as especificações:
- A.
Baixa impedância de entrada e curva de transcondutância linear.
- B.
Elevado ganho de tensão e terminais denominados porta, anodo e catodo.
- C.
Elevada impedância de entrada e terminais denominados porta, fonte e dreno.
- D.
Baixa impedância de saída e camadas de depleção nulas.
- E.
Elevada impedância de entrada e tensão de pich-off nula.
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
- A.
− 5
- B.
− 6,25
- C.
− 7,5
- D.
− 10
- E.
− 15
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
Um decodificador BCD − 7 segmentos para display anodo comum tem em suas saídas os níveis lógicos seguintes: (a = b = d = e = g = 0) e (c = f = 1). Nesse caso, o display apresenta o algarismo
- A.
2.
- B.
3.
- C.
0.
- D.
5.
- E.
7.
Engenharia de Telecomunicações - Eletrônica analógica e digital - Fundação Carlos Chagas (FCC) - 2012
- A.
− 11V
- B.
− 10V
- C.
10V
- D.
11V
- E.
15V
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