Questões de Engenharia Elétrica

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Com a finalidade de reduzir o gradiente de potencial que surge em torno da área seccionada do cabo, usa-se um dispositivo destinado a restabelecer as condições de isolação da extremidade de um condutor isolado, quando ele é conectado a um condutor nu ou a um terminal para ligação a um equipamento elétrico, em média tensão. Tal dispositivo é denominado pelas concessionárias de energia de

  • A. cossinete
  • B. manopla
  • C. mufla terminal
  • D. oscilopertubógrafo
  • E. espectrofotômetro

  • A.

    12.

  • B.

    18.

  • C.

    36.

  • D.

    48.

  • E.

    64.

De acordo com a NR 10, nas instalações elétricas de áreas classificadas ou sujeitas a risco acentuado de incêndio ou explosões, devem ser adotados dispositivos de proteção, como alarme e seccionamento automático para prevenir, dentre outras condições anormais de operação,

  • A. subtensão, curto monofásico, religamento de disjuntores e correntes parasitas
  • B. subtensão, falhas de isolamento, perdas de potência e correntes parasitas
  • C. sobretensão, subcorrente, correntes parasitas e perdas de potência
  • D. sobretensão, sobrecorrente, energização de transformadores e operação de para-raios
  • E. sobretensão, sobrecorrente, falhas de isolamento e aquecimento

  • A.

    500.

  • B.

    1000.

  • C.

    2000.

  • D.

    3000.

  • E.

    3500.

  • A. zona controlada, ponto energizado, zona livre e zona risco
  • B. zona controlada, ponto energizado, zona de risco e zona livre
  • C. zona de risco, ponto energizado, zona livre e zona controlada
  • D. zona livre, ponto energizado, zona controlada e zona de risco
  • E. zona livre, ponto energizado, zona de risco e zona controlada

Para que serve o processo de implantação de íons na tecnologia de fabricação de circuitos integrados e dispositivos semicondutores?

  • A. Serve para oxidar substratos semicondutores.
  • B. Serve para limpar substratos semicondutores.
  • C. Serve para introduzir impurezas (dopantes) em substratos semicondutores.
  • D. Serve para metalizar substratos semicondutores.
  • E. Não serve para a tecnologia de fabricação de circuitos integrados e dispositivos semicondutores.
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