Questões de Engenharia Elétrica

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

• A. spin-on.
• B. deposição física a partir de vapor por Sputtering.
• C. deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
• D. deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
• E. deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

• A.

  10

• B.

  8

• C.

  5

• D.

  2

• E.

  1

A corrente I é, necessariamente, igual a zero.

• C. Certo
• E. Errado

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.

• A. Tratamento térmico.
• B. Concentração de dopante.
• C. Tipo de dopante.
• D. Ciclo térmico.
• E. Rotação do spinner.

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

• C. Certo
• E. Errado

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

• A. Apenas I é utilizada.
• B. Apenas II é utilizada.
• C. Apenas III é utilizada.
• D. Apenas I e II são utilizadas.
• E. I, II e III são utilizadas.

• A.

  0,91

• B.

  0,83

• C.

  0,79

• D.

  0,60

• E.

  0,55

Um amperímetro que utiliza o mecanismo medidor de D’Arsonval possui uma resistência de medidor R_M de 50 Ω e corrente de fundo de escala de 1 mA. A inclusão de um resistor R_SHUNT de 12,5 Ω permitirá um acréscimo percentual na medição do amperímetro de

• A.

  300%

• B.

  400 %

• C.

  500 %

• D.

  100 %