Lista completa de Questões de Engenharia Elétrica do ano 2006 para resolução totalmente grátis. Selecione os assuntos no filtro de questões e comece a resolver exercícios.
Uma bobina de choque é uma bobina:
de impedância alta.
de reatância média para baixa.
de indutância com uma resistência muito baixa.
de indutância praticamente nula.
Não é uma classificação válida para transistores de potência:
BCJs.
BJTs.
MOSFETs.
IGBTs.
Resistores de pré-inserção no fechamento (dispositivos "a") e capacitores de equalização (dispositivos "b") são utilizados em disjuntores de extra-alta tensão, com os objetivos de:
São características de um amplificador ideal:
Ganho de tensão e largura da banda igual à zero.
Largura da banda igual a zero e resistência de entrada infinita.
Resistência de saída igual a zero e largura da banda igual à zero.
Resistência de entrada infinita e resistência de saída igual à zero.
Ganho de tensão e resistência de entrada igual à zero.
Para controlar a temperatura em um sistema de aquecimento, pode-se utilizar um dispositivo eletromecânico ajustável que corta automaticamente a corrente da resistência elétrica na temperatura desejada. Trata-se de
uma fotocélula.
um contator.
um reostato.
um termostato.
um pressostato.
Caracterize o dispositivo abaixo:
Contator.
Disjuntor termomagnético bipolar.
Disjuntor eletromagnético trifásico.
Fusível NEOZED.
Fusível DIAZED.
Em aquecedores elétricos, é comum utilizar nos seus circuitos um dispositivo eletromecânico ajustável cujo princípio de funcionamento é a dilatação térmica de metais e tem por finalidade interromper a corrente elétrica da resistência de aquecimento em uma temperatura predeterminada. Trata-se de um
fotodiodo.
pressostato.
reed-switch.
termostato.
LDR.
O texto e as figuras abaixo referem-se às questões de números 46 e 47.
O dispositivo RT é um
fusível DIAZED.
relé térmico.
relé de tempo com retardo na ligação.
relé de tempo com retardo no desligamento.
reostato.
O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:
o IGBT apresenta a característica de baixa queda de tensão no estado ligado, como o transistor bipolar (BJT)
a velocidade de chaveamento do IGBT é menor do que a do BJT
o disparo do IGBT é realizado pela aplicação de um pulso de corrente na porta
a capacidade de bloqueio para tensões inversas do IGBT é muito ruim
atualmente existem IGBTs que apresentam corrente nominal de 1kA
Os retificadores trifásicos não controlados são muito utilizados em subestações retificadoras de sistemas ferroviários e metroviários. Sobre o retificador trifásico não controlado, é correto afirmar que:
o retificador pode utilizar 3, 6 ou 12 diodos
o rendimento total de um retificador trifásico é menor que o de um retificador monofásico
no retificador trifásico cada diodo conduz por 60o
a ondulação na corrente da carga conectada ao retificador aumenta com o aumento da indutância da carga
a tensa média na carga conectada ao retificador trifásico é sempre maior que o valor de pico da tensão de linha
{TITLE}
{CONTENT}
{TITLE}
Aguarde, enviando solicitação...