Questões sobre Conceitos Básicos

Que tipo de falha tipicamente necessita um teste de excesso de atraso?

• A. Falha do tipo stuck-at 1.
• B. Falha do tipo stuck-at 0.
• C. Falha do tipo circuito aberto.
• D. Falha do tipo circuito fechado.
• E. Falha do tipo resistiva causando um caminha reagir mais lentamente.

Dentro das possíveis arquiteturas para DFT afirma-se o que segue.

I. Para possibilitar o autoteste integrado (‘built-in self test’) em um sistema, é necessária a presença de um bloco de geração automática de vetores de testes e compactação do resultado de teste com o respectivo mecanismo de analise de assinatura de falha.

II. O emprego de técnicas de boundary scan (JTAG) só é possível em sistemas cuja a técnica de testabilidade é o full scan (escaneamento completo).

III. Em mecanismos de compactação da resposta baseados em Multiple-Input Signature Register (MISR), emprega-se uma topologia baseada em Linear-Feedback-Shift-Register (LSFR) que possibilita a detecção de falhas e o diagnóstico preciso das falhas existentes bem como a reconstrução dos vetores aplicados.

Podemos dizer que:

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas III é verdadeira.
• C. Apenas I e II verdadeira.
• D. Apenas I e III verdadeira.
• E. I, II e III são verdadeiras.

Quais as unidades que representam, respectivamente, as grandezas condutância, força eletromotriz, frequência, indutância e intensidade de corrente?

• A.

  coulomb, volt, lux, ampère e weber

• B.

  ohm, volt, watt, farad e ampère

• C.

  siemens, volt, hertz, henry e ampère

• D.

  volt, watt, weber, henry e ohm

• E.

  lux, ampère, volt, hertz, e siemens

No sistema internacional de unidades (SI), a classe das unidades de base é representada pelas seguintes unidades:

• A.

  A/m, m, s

• B.

  A/m, m², s

• C.

  A/m, m², K

• D.

  K, m, s

• E.

  K, m², A/m

Um eletricista de manutenção trabalha, em seu dia a dia, com plantas envolvendo dispositivos como transformadores chaves e disjuntores, dentre outros.

A seguir são apresentados alguns desses dispositivos.

1. Chave reversora

2. Chave seccionadora com abertura sem carga

3. Disjuntor a óleo

4. Disjuntor a seco

5. Transformador de potência

Qual símbolo representa, adequadamente, cada um desses equipamentos, sabendo-se que não foram informados, propositalmente, os valores nominais de cada um deles?

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – O plasma pode ser caracterizado por fluorescência de raios-X.

II – A espectrometria de emissão ótica é uma técnica de caracterização de plasma baseada na emissão de fótons característicos pelo plasma.

III – A espectrometria de emissão ótica possibilita a quantificação de espécies ativas e a medida da temperatura dos elétrons, dentre outras medidas possíveis.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II e III estão corretas.

O teste de um sistema com 4 entradas necessita um conjunto de vetores de testes conforme mostrados abaixo.

T0 = 0X01

T1 = 1XX1

T2 = X001

T3 = X111

Usando o conceito de compactação dos vetores de teste acima, qual a menor sequência de vetores que surtiria o mesmo efeito na presença de falhas simples?

• A. Aplicação dos vetores 0001 e 1001.
• B. Aplicação dos vetores 0001, 1001 e 1111.
• C. Aplicação dos vetores 1101 e 1011.
• D. Aplicação dos vetores 0001 e 1111.
• E. Não é possível compactar.

Os 3 (três) tipos principais de reatores para deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD) são as placas

• A. perpendiculares, tubo horizontal e substrato único.
• B. paralelas, tubo horizontal e substrato duplo.
• C. paralelas, tubo horizontal e substrato único.
• D. paralelas, tubo vertical e substrato único.
• E. paralelas, tubo vertical e substrato duplo.

Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que

• A. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.
• B. as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.
• C. as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.
• D. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.
• E. as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

• A. A obtenção de junções rasas.
• B. A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino.
• C. A silicetação.
• D. A obtenção de óxido de porta ultra-fino.
• E. Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.