Questões sobre Conceitos Básicos

• A.

  90 kWh.

• B.

  50 kWh.

• C.

  100 kWh.

• D.

  110 kWh.

• E.

  120 kWh.

• A.

  28,6 e 1,95.

• B.

  28,6 e 1,40.

• C.

  28,6 e 1,08.

• D.

  27,8 e 1,35.

• E.

  27,8 e 1,48.

• A.

  conector split bolt.

• B.

  eletrodo de aterramento.

• C.

  grampo de aterramento.

• D.

  acoplador para medida de resistência de aterramento.

• E.

  captor tipo Franklin.

Assinale a alternativa que NÃO expressa uma etapa da deposição química a partir de vapor.

• A. O vapor se condensa na superfície do substrato.
• B. Uma mistura de gases reagentes e inertes é introduzida na câmara de reação.
• C. Os reagentes são adsorvidos no substrato.
• D. Os adátomos migram e iniciam as reações químicas que formam um filme.
• E. Os produtos gasosos da reação são dessorvidos e extraídos da câmara de reação.

No multímetro digital, o seletor na posição com a indicação ))) permite ao instrumento

• A.

  o teste de tensão de isolação.

• B.

  o teste de continuidade.

• C.

  o teste de resistência de isolação.

• D.

  a medida de intensidade sonora.

• E.

  a detecção de interferência eletromagnética.

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. I, II e III estão corretas.

As afirmativas abaixo se referem ao reator de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – Na deposição química a partir de vapor em baixas temperaturas, é possível se posicionar os wafers na vertical, com espaçamento bastante reduzido entre eles, proporcionando o posicionamento de grande número de wafers no interior da câmara, o que compensa as baixas taxas de deposição em relação à deposição química, a partir de vapor à pressão atmosférica. II – Como os gases reagentes são consumidos ao entrarem em contato com os wafers, a concentração de gases reagentes próxima à entrada da mistura de gases é maior do que a concentração de gases reagentes próxima à saída dos gases. III - O estabelecimento de um gradiente de temperatura no interior da câmara, com o aumento da temperatura no sentido contrário ao fluxo de gases (temperatura maior na entrada e menor na saída dos gases) é fundamental para aumentar a uniformidade dos wafers. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s):

• A. I, II, III estão corretas.
• B. Apenas I e II estão corretas.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e III estão corretas.
• E. Apenas II está correta.

A seguir, são apresentadas algumas vantagens de diferentes processos de deposição química a partir de vapor.

I – Reator simples.

II – Altas taxas de deposição.

III – Excelente pureza e uniformidade.

IV – Baixa temperatura.

Assinale a alternativa que apresenta a(s) vantagem(ns) da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

• A. Apenas I.
• B. Apenas I e II.
• C. Apenas III.
• D. Apenas II e III.
• E. Apenas III e IV.

Assinale a alternativa que apresenta as desvantagens da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

• A. Temperatura elevada.
• B. Contaminação química.
• C. Cobertura de degrau pobre.
• D. Contaminação por partículas.
• E. Taxas de deposição excessivamente altas, o que dificulta o controle do processo.

Analise o gráfico, que relaciona corrente [A] e tensão [V].

O valor da resistência, em ohms, é de

• A. 2.
• B. 3.
• C. 4.
• D. 6.