Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

A incerteza de um sistema de medição de nível, obtida do certificado de calibração, é de 0,5 mm para um nível de confiabilidade igual a 99,95%. Se o fator de abrangência for igual a 2, a incerteza padrão será de

• A. 2,00 mm
• B. 0,50 mm
• C. 0,25 mm
• D. 0,10 mm
• E. 0,05 mm

Os transmissores pneumáticos

• A. têm como principal vantagem a possibilidade de uso em ambientes explosivos, como em uma central de gás.
• B. são utilizados para linhas de grande comprimento, por não apresentarem atraso de sinal.
• C. são mais utilizados em linhas onde é necessário gerar torques elevados nos comandos de válvula.
• D. dispensam tratamento prévio do ar da linha.
• E. podem ser conectados diretamente aos computadores de vazão.

Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional (acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:

• A. Danos menores durante ICP.
• B. Danos menores durante RIE.
• C. Depende da temperatura do processo.
• D. Depende da temperatura do gás.
• E. Depende do tamanho da lamina.

Quais são as principais vantagens da tecnologia CMOS?

• A. Baixo consumo de energia, mas não permite alta densidade de integração dos dispositivos.
• B. Alto consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.
• C. Baixo consumo de energia e a densidade de integração dos dispositivos é muito baixa.
• D. Não apresenta vantagens quando comparada com a tecnologia TTL.
• E. Baixo consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.

Assinale a alternativa que apresenta somente técnicas de isolação entre dispositivos na tecnologia CMOS.

• A. Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e LOCOS.
• B. Corrosão úmida e STI.
• C. LOCOS e STI.
• D. Corrosão seca e corrosão úmida.
• E. Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e STI.

São características extraídas dos transistores MOS:

• A. Curva de corrente versus tensão e curva de capacitância versus tensão entre catodo e anodo.
• B. Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor.
• C. Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.
• D. Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor.
• E. Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

• A. A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor.
• B. A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.
• C. A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor.
• D. A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta.
• E. A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

• A. 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O.
• B. 1ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.
• C. 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.
• D. 1ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O.
• E. 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

O que é a técnica de fotolitografia?

• A. É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• B. É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• C. É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• D. É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• E. É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10^-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10^-16 cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.

• A. Uma hora e quarenta minutos.
• B. Cinco horas.
• C. Dez horas.
• D. Dez minutos.
• E. Uma hora.