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Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2004
A caracterização e a análise de propriedades elétricas e ópticas de materiais e dispositivos (eletrônicos e eletrópticos) é atividade de interesse fundamental no desenvolvimento das tecnologias de informação. Quanto a esse tema, julgue os itens que se seguem.
Medidas de capacitância versus tensão em estruturas MIS permitem avaliar a presença de defeitos no dielétrico e na interface dielétrico-semicondutor.
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A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.
O emprego da microscopia de força atômica na caracterização elétrica de dispositivos em circuitos integrados de alta densidade deve possibilitar uma avaliação precisa e não-invasiva do nível de dopagem em junções semicondutoras.
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A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.
A opção pelo uso de técnicas de caracterização não-invasivas deve-se também a aspectos econômicos, na medida em que as amostras utilizadas na análise poderiam, em princípio, ser aproveitadas na produção, aumentando a produtividade (yield).
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A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.
A combinação de procedimentos elétricos e ópticos de caracterização permite a identificação de falhas em circuitos integrados de alta densidade, acelerando o processo de caracterização.
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A complexidade dos circuitos com alta escala de integração implica desafios para o desenvolvimento de procedimentos de caracterização, associados à dificuldade de acesso dos dispositivos e à malha de interconexões entre eles. A evolução das tecnologias, com a conseqüente redução das dimensões de dispositivos e o aumento da densidade dos circuitos integrados desenvolvidos, tem demandado cada vez mais o desenvolvimento de procedimentos de caracterização não-destrutivos e não-invasivos. No que se refere a esse tema, julgue os itens seguintes.
A microscopia eletrônica de varredura por tunelamento (STM) é um procedimento não-destrutivo de análise de superfícies, cujas características de resolução espacial e sensibilidade são particularmente adequadas às tecnologias VLSI e às nanotecnologias.
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A fabricação de dispositivos e circuitos integrados emprega uma variedade de procedimentos de transformação de superfícies, entre os quais aqueles destinados à agregação (deposição) de materiais na superfície de um substrato. Também são empregados procedimentos de remoção seletiva de camadas de materiais. A conjugação de procedimentos de deposição e de remoção seletiva de camadas viabiliza a definição da estrutura dos dispositivos e das conexões entre eles, constituindo circuitos integrados. Com relação a esse assunto, julgue os seguintes itens.
A redução progressiva das dimensões dos dispositivos nos circuitos integrados da atualidade tem levado a um incremento no uso de procedimentos de deposição por CVD, em comparação com os procedimentos de deposição por plasma-CVD, devido às mais baixas temperaturas de operação utilizadas nos processos CVD.
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O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.
Em contato com a região p do diodo, tem-se o terminal de ânodo e, em contato com a região n, tem-se o terminal de cátodo.
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O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.
Em uma aplicação de retificação, espera-se que o diodo permita a passagem de corrente convencional no sentido do terminal de ânodo para o terminal de cátodo e não permita corrente convencional em sentido contrário.
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O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.
Se o terminal de ânodo está a um potencial elétrico maior do que o de cátodo, o diodo está diretamente polarizado.
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O diodo semicondutor de junção pn é um dispositivo eletrônico utilizado em diversas aplicações eletrônicas. A respeito desse dispositivo, julgue os itens subseqüentes.
Não há limite para a tensão de polarização reversa à qual um diodo real possa estar submetido sem que o mesmo venha a conduzir ou até a ser danificado.
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