Questões sobre Geral

• A.

  II e IV.

• B.

  I, II e IV.

• C.

  I, II e III.

• D.

  II, III e IV.

• E.

  I, III e IV.

No Sistema Elétrico Brasileiro existe uma pessoa jurídica com a função de executar as atividades de coordenação e controle da operação da geração e transmissão de energia elétrica nos sistemas interligados. Essa pessoa jurídica é denominada

• A. Usina Hidrelétrica de Itaipu.
• B. Agência Nacional de Energia Elétrica.
• C. Centro de Pesquisas de Energia Elétrica.
• D. Operador Nacional do Sistema Elétrico.

O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos com diâmetros maiores que 200 mm

• A. é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
• B. é o de tubo horizontal.
• C. é o de placas paralelas.
• D. é o de substrato único.
• E. é o de tubo vertical.

Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é

• A. o mecanismo simples.
• B. a elevada temperatura.
• C. a alta taxa de deposição.
• D. ser isento de contaminação.
• E. não ter vantagens.

O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque

• A. aumenta a mobilidade dos elétrons.
• B. aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
• C. aumenta a mobilidade dos íons.
• D. aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
• E. diminui a mobilidade dos átomos na superfície.

A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita

• A. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.
• B. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• C. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• D. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• E. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de

• A. silicetos na estrutura desalinhada.
• B. silicetos na estrutura auto-alinhada.
• C. silicetos na estrutura.
• D. tungstênio na estrutura auto-alinhada.
• E. tungstênio na estrutura desalinhada.

Com relação aos silicetos em contatos, pode-se afirmar que

• A. em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
• B. em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e manter a integridade da junção.
• C. em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e manter a integridade da junção.
• D. em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
• E. em contatos os silicetos não são utilizados.

Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:

• A. máxima penetração na junção.
• B. alta resistividade.
• C. alta rugosidade.
• D. existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
• E. Reação ao SiO₂ durante as temperaturas de silicetação.

A respeito de retificadores monofásicos e de retificadores trifásicos, julgue o item abaixo.

No caso de retificadores monofásicos e trifásicos serem submetidos a uma mesma amplitude de tensão de alimentação, os retificadores trifásicos apresentarão tensão de saída menor.

• C. Certo
• E. Errado