Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2013

• A.

  FG + FH +GH

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Suponha que um equipamento possua uma memória do tipo ROM com capacidade para 41 943 040 bits. Assinale a alternativa que apresenta uma possível característica de capacidade dessa memória.

• A.

  1M x 8

• B.

  2M x 8

• C.

  3M x 8

• D.

  4M x 8

• E.

  5M x 8

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  Se E₂ = 0, então B₂ = A₂.

• E.

  Se E₂ = 1, então B₂ = alta impedância.

As equações que definem o campo elétrico de uma onda circularmente polarizada (em z = 0) são:

• A.

  E_x(t) = A sen (wt)

  E_y(t) = A sen (wt)

• B.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt)

• C.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt ± ð)

• D.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt ± ð/2)

• E.

  E_x(t) = A cos (wt)

  E_y(t) = A cos (wt ± ð/4)

Nas diversas arquiteturas de microprocessadores e microcontroladores, é comum a existência do Stack Pointer, cujo funcionamento pode variar ligeiramente de acordo com o componente analisado. De uma forma geral, trata-se de um

• A.

  registrador que aponta para a primeira posição livre ou para a última posição ocupada da pilha.

• B.

  registrador que armazena o código da instrução corrente que está sendo executada.

• C.

  registrador que armazena o código da próxima instrução a ser executada.

• D.

  espaço de armazenamento que contém as principais configurações do processador.

• E.

  espaço de armazenamento que armazena as últimas instruções executadas e os últimos dados acessados.

Um microprocessador permite que uma forma de endereçamento à memória se utilize de um registrador para armazenar o endereço da posição de memória a ser acessada. Quando um operando na memória é acessado a partir de um endereço contido em um registrador, tem-se uma forma de acesso ao operando denominada endereçamento

• A.

  completo.

• B.

  direto.

• C.

  direto.

• D.

  indexado em registrador.

• E.

  indireto por registrador.

Um material semicondutor intrínseco é transformado em extrínseco por meio

• A.

  da retirada total de seus elétrons.

• B.

  da adição de átomos considerados como impurezas.

• C.

  de seu congelamento permanente.

• D.

  de sua fusão com fios de cobre.

• E.

  de sua transformação em átomos de hidrogênio.

Considerando a estrutura de bandas de energia, assinale a característica básica de um material isolante.

• A.

  Sua banda proibida tem largura grande o suficiente para impedir o acesso entre a banda de valência e a banda de condução.

• B.

  Sua banda proibida é estreita o suficiente para que haja o acesso entre a banda de valência e a banda de condução.

• C.

  Não possui banda proibida, pois não suporta temperaturas superiores a 40 ºC.

• D.

  Não possui banda de valência, pois os elétrons livres ficam todos concentrados na banda proibida.

• E.

  Não possui banda de condução, tendo em vista que não possui elétrons em sua composição.

A lei da continuidade, utilizada para representar o fluxo de cargas em materiais semicondutores, estabelece o princípio de que

• A.

  cargas positivas eliminam cargas negativas.

• B.

  cargas negativas não sofrem movimentação nesses materiais.

• C.

  cargas não podem ser criadas ou destruídas.

• D.

  o número de cargas negativas duplica em um processo de condução.

• E.

  o número de cargas positivas duplica em um processo de condução.

Considerando um material condutor (metal) e que ¦Ì seja a mobilidade desse material e ¦Ñ sua densidade de cargas, sua condutividade (¦Ò) ¨¦ calculada por:

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.